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光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法--第1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN103069568A
(43)申请公布日2013.04.24
(21)申请号CN201180040000.9
(22)申请日2011.08.09
(71)申请人欧司朗光电半导体有限公司
地址德国雷根斯堡
(72)发明人于尔根·莫斯布格尔克里斯托夫·诺伊罗伊特诺温·文马尔姆
(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
代理人张春水
(51)Int.CI
H01L25/16
H05B37/03
H01L31/173
H01L27/15
H01L33/00
H01L33/38
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
光电子半导体芯片和用于制造光电
子半导体芯片的方法
(57)摘要
提出一种光电子半导体芯片
（1），所述光电子半导体芯片具有载体
（5）和带有半导体层序列的、设置在载体
光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法--第1页
光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法--第2页
（5）上的半导体本体（2），其中在具有
半导体层序列的半导体本体（2）中形成发
射区域（23）和检测区域（24）。半导体
层序列包括有源区域（20），所述有源区
域设置在第一半导体层（21）和第二半导
体层（22）之间并且设置在发射区域
（23）中以用于产生辐射。第一半导体层
（21）设置在有源区域（20）的背离载体
（5）的一侧上。发射区域（23）具有凹部
（25），所述凹部穿过有源区域（20）延
伸；第一半导体层（21）在发射区域
（23）中经由第一连接层（31）与第一接
触部（41）导电地连接，其中第一连接层
（31）在凹部（25）中从第一半导体层
（21）朝载体（5）方向延伸；第二半导体
层（22）经由第二连接层（32）与第二接
触部（42）导电地连接。检测区域（24）
与附加的接触部（43）导电地连接。此
外，提出一种用于制造光电子半导体芯片
的方法。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法--第2页
光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法--第3页
权利要求说明书
1.光电子半导体芯片（1），所述光电子半导体芯片具有载体（5）
和带有半导体层序列的、设置在所述载体（5）上的半导体本体（2），
其中
-在具有所述半导体层序列的所述半导体本体（2）中形成发射区域
（23）和检测区域（24）；
-所述半导体层序列包括有源区域（20），所述有源区域设置在第一
半导体层（21）和第二半导体层（22）之间
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