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集成电路制造工艺流程--第1页
集成电路制造工艺流程
(晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输)
晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。
将石英矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高
达0.。
采用精炼石英矿而获得的多晶硅,参加少量的电活性“掺杂剂〞,如砷、硼、磷或锑,一
同放入位于高温炉中融解。
多晶硅块及掺杂剂融化以后,用一根长晶线缆作为籽晶,插入到融化的多晶硅中直至底部。
然后,旋转线缆并慢慢拉出,最后,再将其冷却结晶,就形成圆柱状的单晶硅晶棒,即硅
棒。
此过程称为“长晶〞。
硅棒一般长3英尺,直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。
硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后,即成为制造集成电路的根本原料——晶圆。
切片是利用特殊的内圆刀片,将硅棒切成具有准确几何尺寸的薄晶圆。
然后,对晶圆外表和边缘进展抛光、研磨并清洗,将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形,
去除粗糙的划痕和杂质,就获得近乎完美的硅晶圆。
晶圆制造完成以后,还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进展包裹和运输。
晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放,并提高生产力。
在晶圆使用过程中,外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。
现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。
外延层由超纯硅形成,是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。
过去一般是双极工艺需要使用外延层,CMOS技术不使用。
由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用,所以今后可能会在300mm晶圆上更多
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采用。
在晶圆制造过程中很多步骤需要进展晶圆的污染微粒检查。
如裸晶圆检查、设备监控〔利用工艺设备控制沉积到晶圆上的微粒尺寸〕,以及在CMP、
CVD及离子注入之后的检查,通常这样的检查是在晶圆应用之前,或在一个涂光刻胶的层
曝光之前,称之为无图形检查。
化学气相沉积(CVD)是在晶圆外表通过分解气体分子沉积混合物的技术。
CVD会产生很多非等离子热中间物,一个共性的方面是这些中间物或先驱物都是气体。
有很多种CVD技术,如热CVD、等离子CVD、非等离子CVD、大气CVD、LPCVD、HDPCVD、
LDPCVD、PECVD等,应用于半导体制造的不同方面。
光刻是在晶圆上印制芯片电路图形的工艺,是集成电路制造的最关键步骤,在整个芯片的
制造过程中约占据了整体制造本钱的35%。
光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律开展的一个重要原因,如果没有光刻技术的进步,
集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。
光刻工艺将掩膜图形转移到晶片外表的光刻胶上,首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶
圆外表,再经过分步重复曝光和显影处理之后,在晶圆上形成需要的图形。
通常以一个制程所需要经过掩膜数量来表示这个制程的难易。
根据曝光方式不同,光刻可分为接触式、接近式和投影式;
根据光刻面数的不同,有单面对准光刻和双面对准光刻;
根据光刻胶类型不同,有薄胶光刻和厚胶光刻。
一般的光刻流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘,
可以根据实际情况调整流程中的操作。
在集成电路制造过程中,经过掩模套准、曝光和显影,在抗蚀剂膜上复印出所需的图形,
或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形,
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然后把此图形准确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜〔如氧化硅、氮化硅、多晶硅〕或金属
薄膜上去,制造出所需的薄层图案。
刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用
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