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《半导体器件物理》课程试验教学大纲
《半导体器件物理》课程试验大纲
课程编码课程模块：专业方向课修读方式：限选开
课学期：5
课程学分：2.5课程总学时：51理论学时：36实践学时：15
一、实践课程的任务与要求
本课程是微电子学专业试验课，是一门专业性和实践性都很强的
课程。本课程的主要任务是使学生把握半导体材料和器件的一些根本
物理参数和物理性质的测试方法以及清洗、氧化、集中等微电子器件
制造工艺，为微电子器件开发设计和研制铺垫必备根底和实际操作技
能。
通过试验培育学生对半导体器件制造工艺的试验争论力量，培育
学生实事求是、严谨的科学作风，培育学生的实际动手力量，提高试
验技能。其具体要求如下：
1.了解微电子相关的一些设备的功能和使用方法，并能够独立操
作。
2.通过亲自动手操作提高理论与实践相结合的力量，提高理论学
习的主动性。
3.了解半导体器件制造的根本工艺流程。
二、试验工程、内容、要求及学时安排
试验一用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
试验目的或试验原理
了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图
示仪；
试验内容
测量共放射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱
和压降等直流特性。
晶体管特性图示仪:XJ4810A型，NPN和PNP晶体管。
试验二四探针法测量电阻率
试验目的或试验原理
把握四探针法测量电阻率的根本原理和方法，以及具有各种几何
外形样品的修正；分析影响测量结果的各种因素。
试验内容
1.测量单晶硅样品的电阻率；
2.测量集中薄层的方块电阻；
3.测量探针间距S及样品的尺寸；
4.对测量结果进展必要的修正。
试验主要仪器设备及材料
四探针测试仪:D41-11D/ZM、P型或N型硅片、外延硅片。
试验三P—N导电类型鉴别
试验目的或试验原理
1.了解热电动势〔也称冷热探针法〕和整流法的工作原理；
2.分别承受热电动势和整流法来推断硅片的导电类型。
试验内容
1.承受整流法来推断硅片的导电类型；
2.承受热电动势法来推断硅片的导电类型。
试验主要仪器设备及材料
冷热探针测试仪：DLY-2;P型和N型硅片。
试验四用光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命τ
试验目的或试验原理
了解光生伏特效应；正确连接各试验仪器，把握少子寿命τ测试
原理和方法。
试验内容
1.用光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命τ。
触发脉冲发生器、直流高压电源、脉冲光源、高频信号源、电极
板、检波器和宽带放大器、直流稳压电源、脉冲示波器、半导体样品
等。
试验五MOS构造的高频C-V特性测量
试验目的或试验原理
了解MOS构造的C-V特性；学会用高频C-V关系测量确定氧化
层厚度，衬底掺杂浓度以及Si/SiO2界面四周的电荷密度。
试验内容
测量MOS构造的高频C-V特性曲线。
1.
2.通过数据确定氧化层厚度，衬底掺杂浓度以及Si/SiO2界面四
周的电荷密度。
试验主要仪器设备及材料
加热装置、高频C-V测试仪、x-y函数记录仪；MOS电容等。
试验六变温霍尔效应测量半导体的电学特性
试验目的或试验原理
了解霍尔效应的根本原理；学会用变温霍尔效应测量仪来测量样
品的霍尔系数和电导率，确定半导体载流子浓度和迁移率。
试验内容
1.常温下测量样品的霍尔系数和电导率；
2.
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