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《GB/T6616-2023半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法》必威体育精装版解读;目录;目录;目录;目录;目录;目录;PART;新标解读:GB/T6616-2023概览;;PART;;;;PART;;;测试原理:;半导体晶片电阻率测试新方法;;半导体晶片电阻率测试新方法;;;PART;薄膜薄层电阻测量技术前沿;环境控制与电磁屏蔽技术
测试环境的温度、湿度和光照强度对测试结果有显著影响。因此,需严格控制测试环境温度为23℃±2℃,相对湿度不大于60%,并提供电磁屏蔽和电源滤波装置,以减少外部干扰。
标准片与参考片的选用与校准
标准片和参考片用于校准仪器和检查测量仪器的线性。标准片的标称值应覆盖待测电阻率范围,且与待测晶片的厚度偏差应小于25%。参考片可以是用于校准设备的标准片或其他电阻率均匀的硅片,用于检查测量仪器的线性。;PART;;测试对象:;;PART;测试前的准备工作与注意事项;样品的边长或直径不小于25mm,厚度在0.1mm至1.0mm之间。;测试前的准备工作与注意事项;;;;;PART;传感器类型与测量范围:;;;校准
使用标准样片定期对传感器进行校准,确保其测量准确性。;;;;PART;电阻率与薄层电阻的关系
电阻率(ρ)与薄层电阻(R)之间的关系可以通过公式ρ=R·t进行换算,其中t为材料的厚度。这一公式表明,薄层电阻是电阻率与材料厚度的乘积,反映了材料单位体积或单位长度上的电阻。
电阻率单位
电阻率的单位通常为欧姆·米(Ω·m),但在半导体行业中,由于材料厚度较小,常以欧姆·厘米(Ω·cm)表示。这一单位的选择便于在实际测试中进行计算和比较。
薄层电阻的定义
薄层电阻,又称方块电阻,是描述薄膜单位面积上电阻的物理量。其单位为欧姆每方块(Ω/□),其中“□”表示一个正方形的面积,具体大小可根据需要定义。;;PART;晶片表面状态;晶片放置位置
晶片在测试过程中的放置位置也会影响测试结果。晶片应放置在有效区域内,即被整个探头覆盖,以确保涡流能够均匀地在晶片上感应产生,从而获得准确的电阻率值。
测量时间
测量时间过长,涡流会在晶片上造成升温,导致电阻率值发生变化。因此,测量时间应控制在合理范围内,一般建议小于1秒,以减少升温对测试结果的影响。;;PART;环境温度对测试的影响及控制;;环境温度对测试的影响及控制;;;;;PART;晶片表面被沾污或存在损伤会引入测试结果误差。排除方法包括在测试前仔细清洁晶片表面,确保无尘埃、油脂等污染物,并检查晶片是否有划痕或损伤。;涡流升温
长时间测试会导致涡流在晶片上产生升温,进而影响测试结果的准确性。因此,建议测试时间控制在1秒以内,以减少升温对测试的影响。
温度系数修正
在测试碳化硅和砷化镓单晶时,由于不同材料的温度修正系数不同,如果使用硅片作为标准片或参考片,需进行温度修正以避免误差。这要求测试过程中准确记录环境温度,并根据材料的温度系数进行换算。;测试过程中的干扰因素及排除方法;PART;;;;温度系数修正
两点法测试值可自动进行电阻率温度系数修正,提高测试准确性。;;仪器线性检查与校准流程;;PART;五点法优势:;适用范围广
五点法适用于电阻率范围较宽的样品测试,能够满足不同材料的测试需求。;;;五点法与两点法的应用对比;PART;;数据标准化
将电阻率及薄层电阻数据转化为统一量纲,便于不同测试条件下的结果比较。;结果分析方法:;数据处理与结果分析技巧;;PART;测试误差的来源与减小方法;解决方法
确保晶片表面清洁无损伤,使用专用清洗工艺处理晶片表面。;;测试误差的来源与减小方法;;解决方法
选用高精度、高稳定性的涡流探头和信号处理器,定期进行校准和维护。;;PART;半导体材料电阻率测试的重要性;;PART;新标准在工业生产中的应用前景;支持自动化生产;PART;;测试方法的优化:;;;PART;;挑战;PART;;确保测厚仪与温度计精度符合测试要求,温度计最小分辨力为0.1°C。;;提高测试准确性的关键步骤;提高测试准确性的关键步骤;测量过程中将晶片放置在有效区域内,确保探头完全覆盖样品,减少边缘效应影响。;提高测试准确性的关键步骤;提高测试准确性的关键步骤;;PART;;;;测试精度与重复性:;PART;测试设备的选型:;;测试设备的选型与维护保养;电气检查;PART;精确控制温度、湿度和光照强度;;测试前需对样品表面进行彻底清洁,避免污染或损伤引入误差;同时,可采用无损检测手段评估样品表面质量。;;;;PART;新旧标准对比及过渡策略;新增内容
如硅单晶电阻率温度系数的引入,为测试结果的准确性提供了更全面的保障。;;逐步过渡;;PART;;非接触涡流法的操作要点;;确保信号处理器能够准确转换电导信号为电阻率或薄层电阻值。;非接
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