场效应管放大电路课件.pptVIP

教學基本要求掌握結型場效應管的工作原理和特性曲線，瞭解其主要參數瞭解FET放大電路的靜態偏置特點及求解思路掌握用小信號模型分析法分析動態性能瞭解雙極型三極管和場效應管放大電路的特點4場效應管放大電路*自測題一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結果填入空內。（1）結型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點。（）（2）若耗盡型N溝道MOS管的UGS大於零，則其輸入電阻會明顯變小。（）解：（1）√（2）×*二、選擇正確答案填入空內。（1）UGS＝0V時，能夠工作在恒流區的場效應管有。A.結型管B.增強型MOS管C.耗盡型MOS管解：（1）AC（2）A（2）當場效應管的漏極直流電流ID從2mA變為4mA時，它的低頻跨導gm將。A.增大B.不變C.減小*可增加1個雙端口模型，表達要解決的問題（此模型代入P7－結構中）*此動畫可不要！*場效應管放大電路引言4場效應管放大電路1、問題的引出2、分類進一步提高Ri，但BJT的Je正偏，rbe較小FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）*4.1結型場效應管?結構?工作原理?輸出特性?轉移特性?主要參數4.1.1JFET的結構和工作原理4.1.2JFET的特性曲線及參數*4.1.1JFET的結構和工作原理1.結構N型導電溝道漏極D(d)源極S(s)溝道電阻——長度、寬度、摻雜P+P+反偏的PN結——反偏電壓控制耗盡層結構特點:空間電荷區（耗盡層）柵極G(g)*4.1.1JFET的結構和工作原理2.工作原理①VGS對溝道的控制作用②VDS對溝道的影響?VGS=0?VGS＜0(反偏)?VGS=VP?耗盡層加厚|VGS|增加?溝道變窄?溝道電阻增大全夾斷（夾斷電壓）*4.1.1JFET的結構和工作原理2.工作原理②VDS對溝道的影響?VDS??ID?GD間PN結的反向電壓增加,使靠近漏極處的耗盡層加寬,呈楔形分佈。?VGD=VP時，在緊靠漏極處出現預夾斷。?VDS??夾斷區延長,但ID基本不變*2.工作原理③VGS和VDS同時作用時*綜上分析可知溝道中只有一種類型的多數載流子參與導電，

所以場效應管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制預夾斷前iD與vDS呈近似線性關係；預夾斷後，iD趨於飽和。#為什麼JFET的輸入電阻比BJT高得多？JFET柵極與溝道間的PN結是反向偏置的，因此iG?0，輸入電阻很高。4.1.1JFET的結構和工作原理*4.1.2JFET的特性曲線及參數#JFET有正常放大作用時，溝道處於什麼狀態？2.轉移特性VP1.輸出特性*4.1.2JFET的特性曲線及參數3.主要參數①夾斷電壓VP(或VGS(off))：②飽和漏極電流IDSS：漏極電流約為零時的VGS值。VGS=0時對應的漏極電流。③直流輸入電阻RGS：結型FET，反偏時RGS約大於107Ω。⑤最大漏極功耗PDM④最大漏源電壓V(BR)DS；最大柵源電壓V(BR)GS⑦輸出電阻rd：⑥低頻跨導gm：或低頻跨導反映了vGS對iD的控制作用。gm可以在轉移特性曲線上求得，單位是mS(毫西門子)。*4.3金屬-氧化物-半導體場效應管FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）*4.3.1N溝道增強型MOSFET1.結構*4.1.1N溝道增強型MOSFET2.工作原理*N溝道增強型MOS管N溝道耗盡型MOS管4.3.2N溝道耗盡型MOSFET*vGS=VPvGS=V