考点巩固卷10 化学反应速率与化学平衡（二）（解析版）.docxVIP

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考点巩固卷10化学反应速率与化学平衡（二）

考点04化学反应的方向、化学反应的调控

（限时：25min）

考法01化学反应的方向

考法02化学反应的调控

考法03等效平衡

考点05化学反应速率与化学平衡图像

（限时：25min）

考法01化学反应速率相关图像

考法02化学平衡相关图像

考法03多重平衡图像分析

考点04化学反应的方向、化学反应的调控

考法01化学反应的方向

1．下列过程是非自发的是（）

A.水由高处向低处流 B.氯气和溴化钾溶液的反应

C.铁在潮湿空气中生锈 D.室温下水结成冰

【答案】D

【解析】室温下冰会自发融化为水，因此室温下水结成冰不是自发进行的过程，故D符合题意。

2．反应进行的方向是化学反应原理的三个重要组成部分之一。下列说法中正确的是（）

A.ΔH0

B.根据反应的自发性可以预测该反应发生的快慢

C.可逆反应正向进行时，正反应具有自发性，ΔH

D.常温下，反应Cs+

【答案】D

【解析】ΔG0，反应自发进行，由ΔG=ΔH?TΔS可知，若ΔH0，ΔS0，则在低温下ΔG可能大于0，反应不一定可以自发进行，A项错误；反应的自发性只能判断反应的方向，不能确定反应的快慢，B项错误；可逆反应正向进行时，由ΔG=ΔH?TΔS可知，

3．已知“凡气体分子总数增多的反应一定是熵增大的反应”。一定条件下，下列反应不能自发进行的是()

A．2O3(g)===3O2(g)ΔH0

B．2CO(g)===2C(s)＋O2(g)ΔH0

C．N2(g)＋3H2(g)2NH3(g)ΔH0

D．CaCO3(s)===CaO(s)＋CO2(g)ΔH0

【答案】B

【解析】A项，是一个ΔH0，ΔS0的反应，任何温度下一定能自发进行；B项，是一个ΔH0，ΔS0的反应，任何温度下一定不能自发进行；C项，是一个ΔH0，ΔS0的反应，低温条件下可自发进行；D项，是一个ΔH0，ΔS0的反应，高温条件下可自发进行。

4．硅是大数据时代的关键材料。工业上常在1800～2000℃时，用碳单质还原的方法制取单质硅。涉及反应的相关数据如表所示。下列说法正确的是()

反应

ΔH/(kJ·mol－1)

ΔS/(J·K－1mol－1)

反应(1)：SiO2(s)＋2C(s)

===Si(s)＋2CO(g)

＋687.27

359.04

反应(2)：SiO2(s)＋C(s)

===Si(s)＋CO2(g)

＋514.85

183.35

A.反应(1)可证明Si的还原性大于C

B．生活中利用单晶硅良好的导光性能作光导纤维

C．工业生产条件下反应(2)无法自发进行

D．C(s)＋CO2(g)===2CO(g)ΔH＝－172.42kJ·mol－1

【答案】C

【解析】反应(1)：SiO2(s)＋2C(s)===Si(s)＋2CO(g)，C元素化合价升高，C作还原剂，Si是还原产物，由还原剂的还原性比还原产物的强，则C的还原性大于Si，A错误；单晶硅是良好的半导体材料，SiO2具有导光性能，可作光导纤维，B错误；反应若要自发进行，即ΔG＝ΔH－TΔS0，对反应(2)：ΔG＝(＋514.85－T×183.35×10－3)kJ·mol－10，T2808K，则反应(2)在工业1800～2000℃生产条件下无法自发进行，C正确；由盖斯定律，反应(1)－反应(2)得到C(s)＋CO2(g)===2CO(g)ΔH＝＋172.42kJ·mol－1，D错误。

5．已知合成氨反应为：N2(g)＋3H2(g)2NH3(g)ΔH＝－92.4kJ·mol－1，ΔS＝－200J·K－1·mol－1。

(1)合成氨反应在常温下(填“能”或“不能”)自发。

(2)温(填“高”或“低”，下同)有利于提高反应速率，温有利于提高平衡转化率，综合考虑催化剂(铁触媒)活性等因素，工业常采用400～500℃。

【答案】(1)能(2)高低

【解析】(1)ΔG＝ΔH－TΔS＝－92.4kJ·mol－1－298K×(－200J·K－1·mol－1)×10－3kJ·J－1＝－32.8kJ·mol－10。

考法02化学反应的调控

6．工业合成氨的流程图如图所示。下列有关生产条件的调控作用分析错误的是（）

A.步骤①中“净化”可以防止催化剂中毒

B.步骤②“加压”可以加快反应速率，但压强过高，氨的产率会降低

C.步骤③中一般选择控制反应温度为400～

D.步骤④、⑤有利于提高原料的利用率，能节约生产成本

【答案】B

【解析】步骤①中“净化”可除去杂质，防止催化剂中毒，故A正确；合成氨的反应为反应