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晶圆级扇出型封装工艺详解--第1页
扇出型晶圆级封装技术采取在芯片尺寸以外的区域做I/O接点的
布线设计，提高I/O接点数量。采用RDL工艺让芯片可以使用的布线
区域增加，充分利用到芯片的有效面积，达到降低成本的目的。扇出
型封装技术完成芯片锡球连接后，不需要使用封装载板便可直接焊接
在印刷线路板上，这样可以缩短信号传输距离，提高电学性能。
扇出型晶圆级封装技术的优势在于能够利用高密度布线制造工艺，
形成功率损耗更低、功能性更强的芯片封装结构，让系统级封装
（SysteminaPackage,SiP）和3D芯片封装更愿意采用扇出型晶圆级
封装工艺。
第一代FOWLP技术是由德国英飞凌（Infineon）开发的嵌入式晶
圆级球栅阵列（EmbeddedWaferLevelBallGridArray,eWLB）技术（见
图1），随后出现了台积电（TSMC）的整合式扇出型晶圆级封装
（IntegratedFan-OutPackage,InFO）技术和飞思卡尔（Freescale）的重
分布芯片封装（RedistributedChipPackage,RCP）技术等。由于其成本
相对较低，功能性强大，所以逐步被市场接受，例如苹果公司（Apple）
已经在A12处理器采用扇出型封装进行量产。同时其不仅在无线领域
发展迅速，现在也正渗透进汽车和医疗应用，相信未来我们生活中的
大部分设备都会采用扇出型晶圆级封装工艺。
晶圆级扇出型封装工艺详解--第1页
晶圆级扇出型封装工艺详解--第2页
图1英飞凌eWLB工艺技术示例图
传统的封装技术如倒装封装、引线键合等，其信号互连线的形式
包括引线、通孔、锡球等复杂的互连结构。这些复杂的互连结构会影
响芯片信号传输的性能。在扇出型封装中（见图2），根据重布线的工
序顺序，主要分为先芯片（Chipfirst）和后芯片（Chiplast）两种工艺，
根据芯片的放置方式，主要分为面朝上（Faceup）和面朝下（Facedown）
两种工艺，综合上述四种工艺，封装厂根据操作的便利性，综合出以
下三种组合工艺，分别是面朝上的先芯片处理（Chipfirst-faceup）、
面朝下的先芯片处理（Chipfirst-facedown）和面朝下的后芯片处理
（Chiplast-facedown）。接下来分别对这三种工艺进行阐述。
晶圆级扇出型封装工艺详解--第2页
晶圆级扇出型封装工艺详解--第3页
图2FOWLP工艺互连结构示意图
1、面朝上的先芯片处理。
面朝上是让芯片的线路面朝上，采用RDL工艺的方式构建凸块，
让I/O接触点连接，最后切割单元芯片。（见图3）
图3面朝上的先芯片处理工艺示意图
面朝上的先芯片处理工艺流程如下：
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晶圆级扇出型封装工艺详解--第4页
2、面朝下的先芯片处理。
面朝下是让芯片的线路面朝下的工艺。面朝下与面朝上的区别主
要在于芯片带有焊盘一侧的放置方向不同。（见图4）
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图4面朝下的先芯片处理工艺示意图
面朝下的先芯片处理工艺流程如下：
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晶圆级扇出型封装工艺详解--第6页
3、面朝下的后芯片处理。
后芯片是先在临时胶带表面进行R
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