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单粒子效应（SingleEventEffect）
Introduction1WhydowestudySEE?2WhatisSEE?3ContentsSummary54HowtostudySEE?
RadiationEnvironmentSemiconductorDevicesCosmicraysNuclearexplosionsNuclearpowerplantAtmosphericradiation
RadiationeffectsonsemiconductorRadiationEffectsTID(TotalIonizingDose)IonizingDamageSiO2(γ-ray,electron)DisplacementDamageSi(proton,neutron)SEE(SingleEventEffect)Classification非破坏性单粒子效应(SoftError) --单粒子翻转（SEU:SingleEventUpsets） --单粒子瞬变效应（SET:SingleEventTransient）劫难性单粒子效应(HardFailure) --单粒子锁定（SEL:SingleEventLatchup） --单粒子烧毁（SEB:SingleEventBurnout） --单粒子门断裂（SEGR:SingleEventGateRupture）
SourcesofSingleEventEffectsSpaceapplications:—High-energyheavyions?LongrangeinSi,largeLET,directinteraction—High-energyprotons(trapped,solar,cosmic)?Direct/IndirectinteractionthroughnuclearreactionsTerrestrialandavionicapplications:—Highenergyneutrons(cosmicraybyproducts)?Indirectinteractionthroughnuclearreactions—Lowenergyneutrons(thermal)?Indirectinteractionvia10Bnuclearreaction—Alphaparticlesfromradioactivedecayofcontaminants(fromU,Thdecaychains)inthechip/package/solder?ShortrangeinSi,smallLET,directinteraction
WhydowestudySEE?1975年美国发觉通信卫星旳数字电路JK触发器因为单个重核粒子旳作用被触发。陆续发觉陶瓷管壳所含旳微量放射性同位素铀和钍放出旳α粒子以及宇宙射线中旳高能中子、质子、电子等,都能使集成电路产生单粒子效应。进一步旳模拟试验和在轨卫星旳测试证明:几乎全部旳集成电路都能产生这种效应。（1971~1986）
WhydowestudySEE?Moore’slawis(self-)validatedbyreducingthedevicedimensionovertheyears,byscalingdowntheminimumfeaturesizeoftheCMOStechnologynode
WhatisSEE?SingleEventEffect(SEE):perturbationofthebehaviorofelectronic(optoelectronic)devices,circuitsand/orsystemsproducedbyasingleionizingparticle.ChargegenerationDirectionizing(Heavyion)Indirectionizing(Proton)ChargecollectionPromptcomponentDrift/funneling(highfi
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