光刻胶行业深度：行业壁垒、前景分析、产业链及相关公司深度梳理.pdf

光刻胶发展至今已有百年历史，现已广泛用于集成电路、显示、PCB等领

域，是光刻工艺的核心材料。高壁垒和高价值量是光刻胶的典型特征。光刻

胶属于技术和资本密集型行业，全球供应市场高度集中。而目前，我国光刻

胶自给率较低，生产也主要集中在中低端产品，国产替代的空间广阔。随着

国内厂商在高端光刻胶领域的逐步突破，未来国产替代进程有望加速。

下面我们通过对光刻胶概述、发展壁垒、相关政策、产业链及相关公司等方

面进行深度梳理，试图把握光刻胶未来发展。

01

光刻胶行业概述

1.光刻是光电信息产业链中核心环节

光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将图形传递

到介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术，是光电信息产业链

中的核心环节之一。以芯片制造为例，在晶圆清洗、热氧化后，需通过光刻

和刻蚀工艺，将设计好的电路图案转移到晶圆表面上，实现电路布图，之后

再进行离子注入、退火、扩散、气相沉积、化学机械研磨等流程，最终在晶

圆上实现特定的集成电路结构。

2.光刻胶是光电工艺核心材料

光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体，是光刻工艺中最核

心的耗材，其性能决定着光刻质量。作为图像转移“中介”，光刻胶是通过曝

光显影蚀刻工艺发挥转移作用，首先将光刻胶涂覆于有功能层的基底上，然

后紫外光通过掩膜版进行曝光，在曝光区促使光刻胶发生溶解度变化反应，

选择性改变其在显影液中的溶解度，未溶解部分最后在蚀刻过程中起保护

作用，从而将掩模版上的图形转移到基底上。

3.光刻胶分类

（1）按反应机理可分为正性和负性光刻胶

根据化学反应机理不同，光刻胶可分正性光刻胶和负性光刻胶。

正性光刻胶受光照射后，感光部分发生分解反应，可溶于显影液，未感光部

分显影后仍留在基底表面，形成的图形与掩膜版相同。

负性光刻胶正好相反，曝光后的部分形成交联网格结构，在显影液中不可溶，

未感光部分溶解，形成的图形与掩膜版相反。

（2）按应用领域可分为PCB、LCD、半导体光刻胶

根据应用领域不同，光刻胶可分为PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻

胶，技术门槛逐渐递增。

4.行业现状

（1）全球光刻胶供给高度集中，海外龙头已实现高端制程量产

光刻胶属于技术和资本密集型行业，目前核心技术主要掌握在日、美等国际

大公司手中，全球供应市场高度集中，日本JSR等五家龙头企业占据全球

光刻胶市场87%的份额。同时，海外龙头已实现高端制程量产，其中日本

主要厂商已实现领域内最先进的EUV光刻胶的量产，以陶氏、德国默克、

锦湖石化为代表的其他光刻胶厂商也已实现ArF光刻胶的量产。

（2）国内光刻胶以中低端产品为主，高端领域逐步突破

我国光刻胶行业起步较晚，生产能力主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD

光刻胶等中低端产品，其中PCB光刻胶占比达94%。先进制程半导体光刻

胶方面，g/i线胶自给率约10%，KrF胶自给率不足5%，ArF胶基本依靠

进口，而EUV胶还仍处研发阶段。

（3）国内企业产能持续扩张

目前，光刻胶专用电子化学品主要被日本、欧美企业占据较大市场份额。但

经过多年技术积累，国内已形成一定光刻胶用电子化学品产能，国内相关公

司市场份额逐步提升，国产替代正持续进行。

02

光刻胶行业壁垒高

1.工艺技术壁垒高

光刻胶生产工艺复杂，技术壁垒高，其研发和量产需要企业的长期技术积累，

对企业研发人员的素质、行业经验、技术储备等都具有极高要求，新进入者

需要极大的研发投入。

光刻胶的研发是不断进行配方调试的过程，配方研发是通过几百个、几千个

树脂、光酸和添加剂的排列组合尝试出来，且难以通过现有产品反向解构出

其配方，这对技术及经验积累有非常高的要求。

同时，产品纯度、金属离子杂质控制等也是光刻胶生产工艺中需面临的技术

难关，光刻胶纯度不足会导致芯片良率下降。

而从实验室到稳定量产也是光刻胶行业中的关键壁垒。

此外，高端光刻胶生产的大量专利掌握在海外龙头企业中，这在光刻胶技术

上已构建了专利壁垒，阻碍后来者进入。以EUV光刻胶为例，全球专利申