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摘要
摘要
碳化硅(SiC)是重要的第三代宽禁带半导体，具有较大的禁带宽度、高热导率、高化
学稳定性、抗辐射等优点，是制备固态光源、电力电子和微波射频器件的重要材料。4H-SiC
基功率器件在高温、高功率和高辐射领域展现出了优势，其性能受到器件中4H—SiC／Si02界
面质量的影响。热氧化法是在4H-SiC表面制备栅氧化层的传统方法，但是热氧法制备氧化
层的速率较低(约lO彻讹)，并且制各的栅氧化层与SiC界面处存在着大量的界面缺陷，使
得制备的功
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