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摘要
当今电子元器件的发展的追求目标是介电性能优异、温度稳定性良好的小型化陶瓷电容器。本研究目的在于获得具有优异介电常数、低介电损耗的锆铁酸钡(BZT)基陶瓷电容器材料。
本实验以BaZr0.1Ti0.9O3陶瓷为基体，采用传统固相反应法制备Xwt％B2O3-SiO2掺杂BaZr0.1Ti0.9O3陶瓷，X的取值分别是：0wt%、5wt%、10wt%、20wt%。采用控制变量法系统地研究B2O3-SiO2掺杂量、烧结工艺对BaZr0.1Ti0.9O3基陶瓷微观结构与宏观性能的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等高精密仪器分析了BaZr0.1Ti0.9O3基陶瓷的物相组成
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