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《 中间带材料CuGa1-x-yTixZnyS2和CuGa1-xSnxSe2薄膜的制备及其特性》范文.docxVIP

《 中间带材料CuGa1-x-yTixZnyS2和CuGa1-xSnxSe2薄膜的制备及其特性》范文.docx

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    《中间带材料CuGa1-x-yTixZnyS2和CuGa1-xSnxSe2薄膜的制备及其特性》篇一

    材料CuGa1-x-yTixZnyS2与CuGa1-xSnxSe2薄膜的制备及其特性研究

    一、引言

    随着现代电子工业的快速发展，薄膜材料因其独特的物理和化学性质，在电子器件、光电器件、传感器等领域得到了广泛的应用。本文重点研究两种薄膜材料：CuGa1-x-yTixZnyS2和CuGa1-xSnxSe2。这两种材料具有优异的电学、光学和热学性能，适用于多种电子设备。本文将详细介绍这两种薄膜材料的制备方法及其特性。

    二、材料CuGa1-x-yTixZnyS2薄膜的制备及其特性

    1.制备方法

    CuG

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