《微电子器件 》第三章 题集.docxVIP

《微电子器件》第三章题集?

课程名称：微电子器件?

考试形式：课后练习?

满分：100分?

---

注意事项：?

1.本题集共四部分，总分100分。?

2.请将答案写在答题纸上。?

3.所有题目必须回答，选择题请将正确答案的字母填在答题纸上，其余题目请将答案写清楚。?

---

第一部分选择题（共20题，每题2分，共40分）?

1.MOSFET是以下哪一种器件？（）?

???A.双极型晶体管?

???B.场效应晶体管?

???C.电流控制器件?

???D.电子放大器?

2.在PN结中，耗尽区的电场方向是从（）到（）。?

???A.P区，N区?

???B.N区，P区?

???C.P区，耗尽区?

???D.N区，耗尽区?

3.MOSFET的阈值电压主要受以下哪个因素影响？（）?

???A.掺杂浓度?

???B.栅极材料?

???C.栅氧化层厚度?

???D.以上均可?

4.二极管的反向饱和电流通常与（）密切相关。?

???A.材料的掺杂?

???B.电流密度?

???C.温度?

???D.电压?

5.半导体器件的开关速度主要受限于（）的影响。?

???A.PN结电容?

???B.电子迁移率?

???C.热噪声?

???D.杂质浓度?

6.场效应晶体管与双极型晶体管相比，最大的不同是（）?

???A.基于电流控制?

???B.基于电压控制?

???C.低开关损耗?

???D.高开关速度?

7.在MOSFET中，栅极电压控制的是（）?

???A.漏极电流?

???B.源极电流?

???C.电荷流动?

???D.阻抗?

8.二极管的击穿现象通常发生在（）下。?

???A.高电流?

???B.反向高电压?

???C.正向高电压?

???D.正向高电流?

9.光导二极管的主要功能是将光信号转换为（）信号。?

???A.电流?

???B.电压?

???C.热能?

???D.功率?

10.在集成电路中，金属氧化物半导体的最大优点是（）?

????A.低功耗?

????B.高功率?

????C.高频率?

????D.大尺寸?

11.在半导体器件中，掺杂浓度的增加通常会导致（）?

????A.电导率增加?

????B.电导率降低?

????C.电阻率增加?

????D.温度系数增加?

12.二极管的正向电流与电压的关系是（）?

????A.指数关系?

????B.线性关系?

????C.正弦关系?

????D.反比例关系?

13.漏极电流在MOSFET中与栅极电压成（）关系。?

????A.线性?

????B.指数?

????C.平方?

????D.对数?

14.在MOSFET中，导通电阻主要取决于（）?

????A.栅极宽度?

????B.栅氧化层厚度?

????C.漏极长度?

????D.栅极电压?

15.半导体器件中，少数载流子寿命通常影响（）?

????A.反向恢复时间?

????B.正向导通时间?

????C.热噪声?

????D.热电效应?

16.在MOSFET中，饱和区的漏极电流主要由（）决定。?

????A.栅极电压?

????B.源极电流?

????C.漏极电压?

????D.栅极电容?

17.光电二极管的响应速度通常受到（）的限制。?

????A.材料的带隙宽度?

????B.PN结的厚度?

????C.温度?

????D.掺杂浓度?

18.在半导体器件中，热噪声主要与（）相关。?

????A.温度?

????B.电流?

????C.电压?

????D.掺杂浓度?

19.双极型晶体管中，基极电流主要起到（）的作用。?

????A.控制集电极电流?

????B.控制漏极电流?

????C.控制源极电流?

????D.控制栅极电压?

20.在MOSFET器件中，体效应是由于（）引起的。?

????A.栅极电压变化?

????B.源漏电压变化?

????C.基板电压变化?

????D.栅氧化层厚度变化?

---

第二部分填空题（共10题，每题2分，共20分）?

1.MOSFET的源极、漏极和______构成了基本的三端结构。?

2.二极管的正向偏置会使其导通，反向偏置则会进入______状态。?

3.半导体材料的带隙