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MOTMOT75N75

N-CHANNELMOSFET

Symbol

PRODUCTCHARACTERISTICS2.Drain

VDSS75V

RDS(on)max(@VGS=10V)10mΩ

ID75A1.Gate

3.Source

FEATURES

*R≤10mΩ@V=10V,I=37.5A

DS(ON)GSD2

R≤12mΩ@V=4.5V,I=20A

DS(ON)GSD

*Fastswitchingcapability

*AvalancheenergySpecified

*Improveddv/dtcapability,highruggedness

1

3

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25°С,unlessotherwisespecified)

C

PARAMETERSYMBOLRATINGSUNIT

Drain-SourceVoltageVDSS75V

Gate-SourceVoltageVGSS±20V

ContinuousDrainCurrentContinuousID75A

PulsedDrainCurrentPulsed(Note2)IDM150A

AvalancheenergySinglePulsed(Note3)EAS140

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