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摘要
硫化镉（CdS）作为一种优良的发光基质材料，拥有奇特的电子能带结构和良好的光电性能，是最常用的宽禁带半导体之一。稀土Eu3+离子具备特有的光、电和磁等性能、强配位性及多配位点性等优势。掺杂Eu3+能改变CdS材料中载流子的类型,引起电子结构的变化，导致其光学性质的改变。
本文拟采用化学气相沉积法在上制备Eu3+掺杂的CdS半导体材料。拟利用拉曼（Raman）光谱仪对设计的掺杂Eu3+的半导体CdS（CdS:Eu）材料表征掺杂结构和效果，拟利用光致发光（PL）光谱仪对CdS:Eu材料进行发光特性研究。通过控制温度，离子掺杂浓度，气流，衬底位置四个重
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