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填空題

能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反应了晶体材料的_________的作用。（二阶导数.内部势场）

半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（既量子态按能量怎样分布）和_________（既电子在不一样能量的量子态上怎样分布）。（状态密度.费米分布函数）

两种不一样半导体接触后,?费米能级较高的半导体界面一侧带________电.到达热平衡后两者的费米能级________。（正.相等）

半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。（[100].间接带隙）

间隙原子和空位成对出現的点缺陷称為_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称為________。（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷）

在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率為_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率為_________。（1/2.1/1+exp(2)）

从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有助于光子的吸取和发射。（间接带隙.直接带隙）

一般把服从_________的电子系统称為非简并性系统.服从_________的电子系统称為简并性系统。（玻尔兹曼分布.费米分布）

9.对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不一样的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度.禁带宽度）

10.半导体的晶格构造式多种多样的.常見的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体互相結合.属于________构造；与Ge和Si晶格构造类似.两种不一样元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格构造。（金刚石.闪锌矿）

假如电子从价带顶跃迁到导带底時波矢k不发生变化.则具有这种能带构造的半导体称為_________禁带半导体.否则称為_________禁带半导体。（直接.间接）

12.半导体载流子在输运过程中.会受到多种散射机构的散射.重要散射机构有_________、??_________?、中性杂质散射、位錯散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射.晶格振动的散射）

13.半导体中的载流子复合可以有诸多途径.重要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴.复合中心）

14.反向偏置pn結.当电压升高到某值時.反向电流急剧增長.这种現象称為pn結击穿.重要的击穿机理有两种：_________击穿和_________击穿。（雪崩.隧道）

15._________杂质可明显变化载流子浓度；_________杂质可明显变化非平衡载流子的寿命.是有效的复合中心。（浅能级.深能级）

选择題

1．本征半导体是指（A）的半导体。

A．不含杂质和缺陷B．电阻率最高

C．电子密度和空穴密度相等D．电子密度与本征载流子密度相等

2.假如二分之一导体的导带中发現电子的几率為零.那么该半导体必然（D）。

A.不含施主杂质B.不含受主杂质

C.不含任何杂质D.处在绝对零度

3.有效复合中心的能级必靠近(?A?)。?

禁带中部??????????B.导带???????????C.价带??????????D.费米能级?

4．对于只含一种杂质的非简并n型半导体.费米能级EF随温度上升而（D）。

A.单调上升B.单调下降

C.通过一种极小值趋近EiD.通过一种极大值趋近Ei

5.当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定期.其小注入下的少子寿命正比于（A）。

A.1/n0????????????????B.1/△n??????????C.1/p0??????????D.1/△p?

6.在Si材料中掺入P.则引入的杂质能级（B）

A.在禁带中线处B.靠近导带底C.靠近价带顶D.以上都不是

7．公式中的τ是半导体载流子的（C）。

A.迁移時间B.寿命

C.平均自由時间D.扩散時间

8.对于一定的n型半导体材料.温度一定期.减少掺杂浓度.将导致（D）靠近Ei。

A.Ec