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第七章半导体理论

第七章半导体理论

第一节半导体导电特性

1.关于P型半导体的下列说法，错误的是______。

A．空穴是多数载流子

B．在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C．在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D．在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

2.关于N型半导体的下列说法，正确的是______。

A．只存在一种载流子：自由电子

B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

3.关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是______。

A．自由电子、空穴、位于晶格上的离子

B．无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质

C．对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质

D．对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质

4.在P型半导体中多数载流子是______，在N型半导体中多数载流子是

______。

A．空穴／自由电子B．自由电子／空穴

C．空穴／共价键电子D．负离子／正离子

5.一般来说，本征半导体的导电能力______，当掺入某些适当微量元素

后其导电能力______。

A．很强／更强B．很强／降低C．很弱／提高D．很弱／更弱

第二节PN结单向导电性

1.半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是

______。

A．具有放大特性B．具有单向导电性

C．具有改变电压特性D．具有增强内电场特性

2.下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是______。

A．P端接+5V，N端通过一电阻接+7V

B．N端接+2V，P端通过一电阻接+7V

C．P端接-3V，N端通过一电阻接+7V

D．P端接+1V，N端通过一电阻接+6V

3.下列说法正确的是______。

A．P型半导体带正电B．N型半导体带正电

C．PN结为电的中性体

D．PN结存在内电场，用导线短接时，有电流产生

三稳压管

1.图中稳压管的稳压值为6V，正向压降为0.7V，可求得U0=______。

A．6VB．0.7VC．6.7VD．5.3V

第七章半导体理论

2.图中稳压管的稳压值为5V，二极管正向导通管压降为0.7V。可求得

U0=______。

A．20VB．5.7VC．1.4VD．10V

3.稳压管正常工作时，一般情况下是工作在______状态。

A．反向击穿B．放大C．正向击穿D．截止

第四节单相整流电路

1.整流电路的目的是______。

A．直流电变交流电B．电压放大C．交流电变直流电D．功

率放大

2.单相半波整流电路，输入交流电压有效值为100V，则输出的脉动电压

平均值为______；二极管承受的最高反向电压为______。

A．45V／100VB．90V／100VC．90V／141VD．45V

／141V

3.在单相半波整流电路中，输出直流电压平均值U0=______；二极管承受

的最高反向电压UDRM=______。（设U为整流电路输入的交流电压的有

效值）

A．0.45U，3UB．0.9U，3UC．0.45U，2U