CN30N06深圳恒锐丰科技.pdf

如韵电子CONSONANCE

N沟道增强型功率MOSFET

CN30N06

概述：管脚排列：

CN30N06采用先进工艺，提供较低的导通电阻，

低栅极电荷和低栅极电压(低至0.9V)。CN30N06

适合用于电池保护，或作为开关的应用。

电路示意图：

应用：

⚫电池保护

⚫负载开关

⚫电源管理

特点：

⚫VDS=30V,ID=5.8A

RDS(ON)=32mΩ@VGS=2.5V

RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V

RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V顶视图：

⚫较高的功率和电流处理能力

⚫3管脚SOT-23-3封装

⚫产品无铅，满足rohs，不含卤素

订货信息

产品型号打印标记封装工作环境温度

CN30N06N36SOT-23-3－40℃to85℃

1REV1.0

极限参数（T=25℃，除非另有说明）

A

参数符号极限参数单位

漏极-源极电压VDS30伏

栅极-源极电压VGS±12伏

漏极连续电流ID5.8安

漏极尖峰电流(注1)IDM30安

最大散热功率PD1.4瓦

工作结温和存储温度范围T,T-55to150摄氏度

JSTG

热特性

热阻，结到环境(注2)RθJA125℃/W

电气参数(T=25℃，除非另有说明)

A

参数符号测试条件最小典型最大单位

关断特性

漏极-源极击穿电压BV=0VI=250μA30--伏特

VDSSGSD

漏极漏电流IDSSVDS=30V,VGS=0V--1微安

栅极漏电流IGSSVGS=±12V,VDS=0V--±100纳安

导通特性(注3)

栅极阈值电压