CN30P14深圳恒锐丰科技.pdf

如韵电子CONSONANCE

P沟道增强型功率MOSFET

CN30P14

概述：管脚排列：

CN30P14采用先进工艺，提供较低的导通电阻，

低栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至1.5V。S18D

CN30P14适合用于电池保护，或PWM开关中的应

用。S27D

CN30P14

S36D

G45D

应用：

电路示意图：

⚫电池保护

⚫负载开关

⚫电源管理

特点：

⚫VDS=-30V，ID=-14A

RDS(ON)12.5mΩ@VGS=-4.5V

RDS(ON)8.5mΩ@VGS=-10V

⚫较高的功率和电流处理能力

⚫8管脚SOP8封装

顶视图：

⚫产品无铅，满足rohs，不含卤素

订货信息

产品型号打印标记封装工作环境温度

CN30P1430P14SOP8－40℃to85℃

1REV1.0

如韵电子CONSONANCE

极限参数（T=25℃，除非另有说明）

A

参数符号极限参数单位

漏极-源极电压VDS-30伏

栅极-源极电压VGS±20伏

漏极连续电流ID-14安

漏极脉冲电流(注1)IDM-50安

最大散热功率PD3.1瓦

工作结温和存储温度范围T,T-55to150摄氏度

JSTG

热特性

热阻，结到环境(注2)RθJA40℃/W

电气参数(T=25℃，除非另有说明)

A

参数符号测试条件最小典型最大单位

关断特性

漏极-源极击穿电压BV=0VI=250μA-