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目录
前言II
一、国际第三代半导体产业进展1
(一)各经济体以前所未有的力度扶持半导体产业1
(二)技术和产品商业化加速3
(三)龙头企业不断完善全产业链布局11
(四)市场规模持续增长14
二、中国第三代半导体产业进展21
(一)各级政策联动,扶持力度不断增强21
(二)研发实力提升,与先进水平差距缩小28
(三)政策市场双轮驱动,产业规模保持高速增长38
(四)市场加速渗透,新应用逐步开启52
三、总结与展望64
I
前言
当前,国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性
量产的成功跨越,并进入产业化快速发展阶段,在新能源汽车、高速
轨道交通、5G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域实现了
应用突破。未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期,全球资本
加速进入第三代半导体材料、器件领域,产能大幅度提升,企业并购
频发,正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。第三代半导体是我国“十三
五”时期重点布局的方向,产业化核心技术取得突破、产业布局较为
全面、市场应用逐步开启,自主可控能力逐渐增强,整体竞争力不断
提升。
2020年,我国第三代半导体产业面临复杂的外部环境。全球新冠
疫情持续蔓延,世界经济严重衰退,国际贸易投资萎缩,中国经济面
临的不稳定、不确定因素显著增多;逆全球化思潮泛滥、贸易战频发,
中美、日韩等贸易战给全球半导体和电子制造商带来了供应链安全风
险;国际第三代半导体龙头企业显现领先优势,逐步建立行业壁垒,
或对国内产业造成一定冲击。与此同时,多因素促成我国第三代半导
体产业逆势上涨。提振信心的5G、AI、物联网、大数据等市场提速,
新能源汽车、PD快充、5G和新型显示时代的来临,应用市场对第三
代半导体的需求已经开始呈现出前所未有的增长趋势。下游企业从供
应链安全角度考虑,导入国产器件,国内产品获得了试用、改进的机
会;政策支持力度更大、资本市场更活跃,推动第三代半导体产业链
布局加快;新基建、“碳达峰、碳中和”的政策与规划密集推出,第
II
三代半导体材料和器件应用于清洁能源领域如光伏、风电等,以及提
升能源使用效率领域如直流特高压输电、新能源汽车、轨道交通等,
将对实现“碳达峰、碳中和”起到至关重要的作用。
在此背景下,我国第三代半导体产业持续稳定发展。技术方面,
研发能力逐步提升,量产技术逐渐成熟。国际SiC商业化衬底以6英
寸为主,逐步向8英寸过渡;国内SiC商业化衬底以4英寸为主,逐
步向6英寸过渡;国内外SiC基GaN外延片主流尺寸为4英寸,并
逐步向6英寸发展;Si基GaN外延片主流尺寸为6英寸,并逐步向
8英寸发展。SiCMOSFET产品相继推出,车规级成为关注焦点,多
家企业推出符合AEC-Q101标准的SiC、GaN量产产品。GaN电力电
子器件实现650V产品量产能力,主要应用于PD快充。商业化GaN
射频器件供应上量,下游应用市场快速开启。黄光LED芯片发光效
率达到27.9%,世界领先;UVA波段紫外LED已有成熟的商业化产
品并能满足应用的需求,外量子效率已超过40%;UVC波段深紫外
LED产品的外量子效率约5%。Mini/Micro-LED技术取得了较快速的
进展,Mini-LED背光产品密集发布,规模商业化应用已经开启;Micro-
LED巨量转移效率不断提升,多家厂商展出样机。产业方面,国际主
要企业大力完善产业布局,通过调整业务领域、整合并购等方式,树
立市场优势地位;国内企业强化布局,第三代半导体产业进入扩张期;
产线陆续开通,大尺寸晶圆渐成主流;产能进一步增长,供给仍然不
足。市场方面,SiC功率器件价格持续下降,与Si器件价差进一步缩
小;新能源汽车成为市场的主要拉动力,上下游合作趋势日益明显,
III
第三代半导体产品加速进入汽车供应链;5G基站开始大规模建设,
整体市场超千亿;快充市场爆发,对第三代半导体的需求呈现了前所
未有的增长趋势;Min
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