NCE30H12AK深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE30H12AK

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE30H12AKusesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It

canbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeatures

●V30V,I120A

DSD

RDS(ON)2.7mΩ@VGS10V

Schematicdiagram

RDS(ON)3.8mΩ@VGS4.5V

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability

Markingandpinassignment

Application

●Powerswitchingapplication

●Hardswitchedandhighfrequencycircuits

●Uninterruptiblepowersupply

100%UISTESTED!

TO-252-2Ltopview

100%ΔVdsTESTED!

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE30H12AKNCE30H12AKTO-252-2L---

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

A℃

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID

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