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NCE6058AK
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE6058AKusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V60V,I58A
DSD
RDS(ON)9.5mΩ@VGS10V(Typ:8mΩ)Schematicdiagram
RDS(ON)14.5mΩ@VGS10V(Typ:12mΩ)
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability
Application
●PowerswitchingapplicationMarkingandpinassignment
●LEDbacklighting
●Uninterruptiblepowersupply
100%UISTESTED!
100%ΔVdsTESTED!TO-252-2Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE6058AKNCE6058AKTO-252-2L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS60V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID58A
DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)
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