NCE30H33LL深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE30H33LL

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures

Description

●V30V,I330A

DSD

TheNCE30H33LLusesadvancedtrenchtechnologyand

RDS(ON)1.5mΩ@VGS10V

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It

RDS(ON)2.4mΩ@VGS4.5V

canbeusedinawidevarietyofapplications.

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

Application

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●Powerswitchingapplication

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Hardswitchedandhighfrequencycircuits

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

●Uninterruptiblepowersupply

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TOLL

SchematicDiagram

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

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