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1.(单选题)表明晶体管质量优劣的主要参数是()。(本题2.0分)
A.,ICBO,(ICEO)
B.ICM、PCM
C.U(BR)CEO,ICM
答案:A
解析:无
2.(单选题)在单相半波整流电路中,所用整流二极管的数量是()。(本题2.0
分)
A.四只
B.二只
C.一只
答案:C
解析:无
3.(单选题)负反馈所能抑制的干扰和噪声是()(本题2.0分)
A.输入信号所包含的干扰和噪声;
B.反馈环内的干扰和噪声;
C.反馈环外的干扰和噪声;
D.所有干扰和噪声。
答案:B
解析:无
4.(单选题)PN结加适量反向电压时,空间电荷区将()(本题2.0分)
A.变宽
B.变窄
C.不变
D.消失
答案:A
解析:无
5.(单选题)共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()的能力。(本
题2.0分)
A.放大差模抑制共模
B.输入电阻高
C.输出电阻低
答案:A
解析:无
6.(单选题)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是____。()(本题2.0分)
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
答案:B
解析:无
7.(单选题)场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()(本题2.0分)
A.非饱和区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区
答案:B
解析:无
8.(单选题)集成运放工作在线性放大区,由理想工作条件得出两个重要规律是()。(本题2.0
分)
A.U+=U-=0,i+=i-;
B.U+=U-=0,i+=i-=0;
C.U+=U-,i+=i-=0;
D.U+=U-=0,i+≠i-。
答案:A
解析:无
9.(单选题)基本放大电路中的主要放大对象是()(本题2.0分)
A.直流信号;
B.交流信号;
C.交直流信号均有。
答案:B
解析:无
10.(单选题)运算放大器中,“虚地”的概念只存在于()(本题2.0分)
A.反相比例放大器中
B.同相比例放大器中
C.差动放大器中
D.比较器中
答案:A
解析:无
11.(单选题)若使三极管具有电流放大能力.必须满足的外部条件是()(本题2.0分)
A.发射结正偏、集电结正偏;
B.发射结反偏、集电结反偏;
C.发射结正偏、集电结反偏;
D.发射结反偏、集电结正偏。
答案:C
解析:无
12.(单选题)三极管超过()所示极限参数时.必定被损坏。(本题2.0分)
A.集电极最大允许电流ICM;
B.集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;
C.集电极最大允许耗散功率PCM;
D.管子的电流放大倍数
答案:C
解析:无
13.(单选题)正弦电流经过二极管整流后的波形为()。(本题2.0分)
A.矩形方波;
B.等腰三角波;
C.正弦半波;
D.仍为正弦波。
答案:C
解析:无
14.(单选题)绝缘栅型场效应管的输入电流()。(本题2.0分)
A.较大;
B.较小;
C.为零;
D.无法判断。
答案:C
解析:无
15.(单选题)测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V.VB=2.8V.VC=4.4V.说
明此三极管处在()。(本题2.0分)
A.放大区;
B.饱和区;
C.截止区;
D.反向击穿区。
答案:A
解析:无
16.(单选题)用万用表检测某二极管时.发现其正、反电阻均约等于1KΩ.说明该二极管()。
(本题2.0分)
A.已经击穿;
B.完好状态;
C.内部老化不通;
D.无法判断。
答案:C
解析:无
17.(单选题)单极型半导体器件是()。(本题2.0分)
A.二极管;
B.双极型三极管;
C.场效应管;
D.稳压管。
答案:C
解析:无
18.(单选题)在共射交流放大电路中,负载电阻RL愈大,则电压放大倍数AU()。(本题2.0
分)
A.愈大
B.不变
C.愈小
答案:A
解析:无
19.(单选题)直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和(
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