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微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库
2023年
1.处于平衡态的PN结，其费米能级EF（）。
答案:
处处相等
2.由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（）的
势垒。
答案:
3.不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在PN结的势垒区（）。
答案:
均为常数
4.正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域
内载流子出现（）过程占优。
答案:
复合
5.对突变PN结，反向电压很大时，可以略去，这时势垒电容与（）成反
比。
答案:
6.在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、
电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。
答案:
引入复合中心降低少子寿命
7.双极晶体管效应是通过改变（）。
答案:
正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流
8.在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为
（）。
答案:
9.在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。
答案:
反偏和反偏
10.为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
答案:
高浓度、深结深
11.ICBO代表(时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。)
答案:
发射极开路、集电结反偏
12.以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。
答案:
减小栅氧化层厚度
13.以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。
答案:
降低衬底掺杂浓度
14.以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。
答案:
增加衬底掺杂浓度
15.当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。
答案:
减小
16.MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。
答案:
漏源电导，跨导
17.以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（）。
答案:
减小氧化层厚度
18.PN结的空间电荷区的电荷有（）。
答案:
施主离子
受主离子
19.PN结的内建电势Vbi与（）有关。
答案:
温度
材料种类
掺杂浓度
20.反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的（）。
答案:
种类
禁带宽度
掺杂浓度
温度
21.为了能用与平衡载流子浓度分布公式相类似的公式来描述非平衡载流子浓度
的分布，引入了准费米能级的概念。如果用EFp和EFn分别代表空穴和电
子的准费米能级。非平衡载流子的浓度分别表示（）。
答案:
22.双极型晶体管的基区输运系数的表达式
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