第一章-微纳加工技术发展概述教案资料.ppt

第一章微纳加工技术发展概述

主要内容本课程的主要内容集成电路的发展MEMS技术简介1.4苏州纳米区简介2

3

1.1课程的主要内容第一章微纳加工技术发展概述第二章CMOS工艺流程第三章洁净室、晶圆片清洗与吸杂处理第四章光刻第五章薄膜淀积第六章刻蚀第七章热氧化和Si-SiO2界面第八章离子注入第九章扩散（已学）第十章后端工艺第十一章未来趋势与挑战4

教材作者：唐天同，王兆宏西安交通大学电子工业出版社，20105

教材(美)JamesD.Plummer,MichaelD.Deal,PeterB.Griffin著,2005，电子工业出版社6

分数比例作业15%考勤15%实验20%考试50%7

1.2集成电路工艺的发展1.2.2促成集成电路产生的几项关键发明1.2.3半导体器件1.2.1集成电路工艺的发展历程8

?1959and1990integratedcircuits.?Progressdueto:-Featuresize(特征尺寸)reduction13%years(Moore’sLaw). -Increasingchipsize(芯片尺寸)≈16%peryear.1.2.1集成电路工艺的发展历程EvolutionofIntegratedCircuitsFabrication特征尺寸：工艺制造中晶圆片表面能刻印出图形的最小尺寸。9

OnApril19,1965ElectronicsMagazinepublishedapaperbyGordonMooreinwhichhemadeapredictionaboutthesemiconductorindustrythathasbecomethestuffoflegend.“Thenumberoftransistorsincorporatedinachipwillapproximatelydoubleevery24months.”KnownasMooresLaw,hispredictionhasenabledwidespreadproliferationoftechnologyworldwide,andtodayhasbecomeshorthandforrapidtechnologicalchange. Moore’sLaw10亿10

GordonMoore：Intel创始人/pressroom/kits/events/moores_law_40th/index.htm?iid=tech_mooreslaw+body_presskit11

?Theeraof“easy”scalingisover.Wearenowinaperiodwhere technologyanddeviceinnovationsarerequired.Beyond2020,new currentlyunknowninventionswillberequired.IC最小特征尺寸的发展历史及规划DeviceScalingOverTime12

?1990IBMdemoof?scale“lithography”.?Technologyappearstobecapableofmakingstructuresmuchsmallerthancurrentlyknowndevicelimits. ITRSat/ITRS硅技术发展规划13

ITRS—InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors/?预言硅主导的IC技术蓝图由欧洲电子器件制造协会（EECA）、欧洲半导体工业协会（ESIA）、日本电子和信息技术工业协会（JEITA）、韩国半导体工业协会（KSIA）、台湾半导体工业协会（TSIA）和半导体工业协会（SIA）合作完成。器件尺寸下降，芯片尺寸增加互连层数增加掩膜版数量增加工作电压下降/instruct/bachelor/jpkc/jcdlgy/supplement/2011ExecSum.pdf14

AdvantagesandChallengesAssociatedwiththeIntroductionof450mmWafers:Apositionpaperreport