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Silvaco中文学习手册
§4工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD
本章将向读者介绍如何使用SILVACO公司的TCAD工具ATHENA
来进行工艺仿真以及ATLAS来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅
器件及电路的制造工艺以及
MOSFET和BJT的基本概念。
使用ATHENA的NMOS工艺仿真
概述
本节介绍用ATHENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的
基本操作。包括：a.创建一个好的仿真网格b.演示淀积操作c.演示
几何刻蚀操作
d.氧化、扩散、退火以及离子注入
e.结构操作
f.保存和加载结构信息创建一个初始结构1定义初始直角网格
a.输入UNIX命令：deckbuild-an，以便在deckbuild交互模
式下调用ATHENA。在短暂的延迟后，deckbuild主窗口将会岀现。
如图所示，点击File目录下的EmptyDocument，清空DECKBUILD
文本窗口；
Save：
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图清空文本窗口
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图以“goathena开始
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接下来要明确网格。
网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。
仿真结构中存
在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。
c.为了定义网格，选择MeshDefine菜单项，如图所示。下面将
以在卩mx^m勺方形区域内创建
非均匀网格为例介绍网格定义的方法。
DeckfcL丨a甘32CLO.R—(IjDH￡led丨至廿Idir；e/t
I丨r?亡iypt/w心，
Mair匚QntrcJ一Ci：*mnandE
2在卩mx^m勺方形区域内创建非均匀网格
a.在网格定义菜单中，Direction（方向）栏缺省为X；点击
Location（位置）栏并输入值0;点击Spacing（间隔）栏并输入值；
b.在Comment（注释）栏，键入（注释）栏，键入UniformGridx”，如
图所示；
c.点击
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