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NCE01P18D

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE01P18Kusesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcan

beusedinawidevarietyofapplications.ItisESDprotested.

GeneralFeatures

●V-100V,I-18ASchematicdiagram

DSD

RDS(ON)100mΩ@VGS-10V(Typ:85mΩ)

RDS(ON)120mΩ@VGS-10V(Typ:95mΩ)

●Superhighdensecelldesign

●Advancedtrenchprocesstechnology

●Reliableandrugged

●HighdensitycelldesignforultralowOn-Resistance

Application

●PowermanagementinnotebookcomputerMarkingandpinassignment

●Portableequipmentandbatterypoweredsystems

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100%ΔVdsTESTED!

TO-263-2Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE01P18DNCE01P18DTO-263-2L---

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-100V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID-18A

DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)-12

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