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NCE60P82A
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE60P82Ausesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This
deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.
GeneralFeatures
●V-60V,I-82A
DSD
RDS(ON)13mΩ@VGS-10VSchematicdiagram
RDS(ON)16mΩ@VGS-4.5V
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●LoadswitchMarkingandpinassignment
100%UISTESTED!
100%ΔVdsTESTED!
TO-220-3Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE60P82ANCE60P82ATO-220-3L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-60V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID-82A
DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)-58A
C
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