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NCE20P10J

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE20P10JusesadvancedtrenchtechnologytoprovideD

excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate

voltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchingG

applicationandawidevarietyofotherapplications.

GeneralFeatures

Schematicdiagram

●V-20V,I-10A

DSD

RDS(ON)22mΩ@VGS-2.5V

RDS(ON)18mΩ@VGS-4.5V

●AdvancedtrenchMOSFETprocesstechnology

●Ultralowon-resistancewithlowgatecharge

Pinassignment

Application

●PWMapplications

●Loadswitch

●Batterychargeincellularhandset

DFN2X2-6Lbottomview

Packagemarkingandorderinginformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapeWidthQuantity

20P10JNCE20P10JDFN2X2-6L---

Absolutemaximumratings(T25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-20V

Gate-SourceVoltageVGS±12V

DrainCurrent-ContinuousID-10A

DrainCurrent-Pulsed(Note1)

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