NCE20P85GU深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE20P85GU

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

GeneralFeatures

TheNCE20P85GUusesadvancedtrenchtechnologyand

●V=-20V,I=-85A

DSD

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It

RDS(ON)1.9mΩ@VGS=-4.5V

canbeusedinawidevarietyofapplications.

RDS(ON)2.4mΩ@VGS=-2.5V

Application

RDS(ON)3.8mΩ@VGS=-1.8V

●Loadswitch

●Batteryprotection

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

100%UISTESTED!

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

100%∆VdsTESTED!

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

DFN5X6

TopViewBottomViewSchematicDiagram

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

20P85GUNCE20P85GUDFN5x6-8L---

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

该用户很懒，什么也没介绍

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