光刻机动态跟踪：国产ArF光刻机首台套突破，解读设备工艺参数.pdfVIP

光刻机动态跟踪

国产ArF光刻机首台套突破，解读设备工艺参数2024年10月10日

➢工信部推广国产“首台套”ArF光刻机。9月2日，工信部印发《首台（套）推荐维持评级

重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，其中在“电子专用装备”类目

中包含氟化氪（KrF）光刻机、氟化氩（ArF）光刻机两类产品。本次入选意味着

国产KrF、ArF光刻机均已实现技术突破，可用于市场推广。其中，较为先进的[Table_Author]

ArF光刻机可实现≤65nm分辨率，≤8nm套刻精度。

➢解读光刻机参数与制程节点的对应关系：

1）分制程节点如何命名？

制程节点的命名早期来自晶体管的关键尺寸。例如500nm制程节点的晶体管

Half-Pitch与GateLength均为500nm。但随着制程演进，实际的晶体管尺寸

已经与命名产生差异，需要考虑的是光刻机分辨率与实际尺寸之间的关系。分析师方竞

2）光刻机分辨率执业证书：S0100521120004

光刻机分辨率很大程度上取决于光源波长，波长越短，分辨率越高。当前主流的邮箱：fangjing@

分析师张文雨

i-line光刻机可实现350nm的分辨率，KrF光刻机可实现150nm分辨率，ArF执业证书：S0100524060002

光刻机可实现65nm分辨率，ArF浸没式光刻机可实现38nm分辨率。邮箱：zhangwenyu@

3）光刻机的套刻精度

套刻精度指的是每一层光刻图案与上一层光刻图案对准的平面误差范围，与光刻相关研究

机的分辨率共同决定了能加工的制程节点。1.半导体行业点评：把握节后A股科技机遇—

对比海外龙头的性能参数，本次实现首台套突破的国产ArF光刻机在分辨率上—半导体为核心方向-2024/10/09

与ASML的ArF光刻机1460K相同，但套刻精度上仍有差距。2.AR行业跟踪报告：Meta首款AR发布，A

R+AI新蓝图进行时-2024/09/27

➢三大关键子系统是国产化的核心难点。光源、光学系统、工件台是光刻机的3.半导体行业点评：美光FQ4-24超预期，算

三大关键子系统，也是国产替代的核心难点。当前，光源主要由ASML旗下Cymer力需求持续强劲-2024/09/27

垄断市场，光学系统由德光光学巨头蔡司领衔，工件台则为各家光刻机整机厂商4.电子行业点评：高通或洽收购英特尔，PC芯

自主设计制造。片市场格局生变-2024/09/23

5.电子行业周报：AI新品节：大模型+iPhon

➢投资建议：先进光刻机是国产晶圆厂发展先进工艺制造的关键瓶颈，国产光e+AR-2024/09/18

刻机的技术突破有利于未来国内晶圆厂的扩产提速，从而带动整个国产半导体设

备行业需求增量。建议关注：

半导体设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、中科飞测、精测电子、芯源微、

华海清科等；

光刻机零部件：波长光电、茂莱光学、晶方科技、腾景科技、炬光科技、美埃科

技等