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NCE60P07AS
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE60P07ASusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This
deviceiswellsuitedforuseasaloadswitchorinPWM
applications.
GeneralFeatures
●V=-60V,I=-7ASchematicdiagram
DSD
RDS(ON)65mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)85mΩ@VGS=-4.5V
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●Loadswitch
●PWMapplication
Markingandpinassignment
100%UISTESTED!
100%∆VdsTESTED!
SOP-8topview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE60P07ASNCE60P07ASSOP-8---
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-60V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID-7A
PulsedDrainCurrent
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