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NCE60P45K
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE60P45Kusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V=-60V,I=-45A
DSD
RDS(ON)35mΩ@VGS=-10VSchematicdiagram
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●Powerswitchingapplication
●HardswitchedandhighfrequencycircuitsMarkingandpinassignment
●Uninterruptiblepowersupply
100%UISTESTED!
TO-252-2Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE60P45KNCE60P45KTO-252-2L---
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-60V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID-45A
DrainCurrent-Continuous(T=100℃)
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