NCE01P18L深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE01P18L

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE01P18Lusesadvancedtrenchtechnologyanddesign

toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe

usedinawidevarietyofapplications.ItisESDprotested.

GeneralFeatures

●V=-100V,I=-18A

DSD

RDS(ON)100mΩ@VGS=-10V(Typ:85mΩ)Schematicdiagram

RDS(ON)120mΩ@VGS=-10V(Typ:95mΩ)

●Superhighdensecelldesign

●Advancedtrenchprocesstechnology

●Reliableandrugged

●HighdensitycelldesignforultralowOn-Resistance

Application

●Powermanagementinnotebookcomputer

●PortableequipmentandbatterypoweredsystemsMarkingandpinassignment

100%UISTESTED!

100%∆VdsTESTED!

TO-251Stopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE01P18LNCE01P18LTO-251S---

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-100V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID-18A

DrainCurrent-Continuous(T=100℃)I(100℃)-12

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