NCE30P30L深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE30P30L

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE30P30Lusesadvancedtrenchtechnologyanddesign

toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis

wellsuitedforhighcurrentloadapplications.

GeneralFeatures

●V=-30V,I=-30A

DSD

RDS(ON)19mΩ@VGS=-10VSchematicdiagram

RDS(ON)30mΩ@VGS=-4.5V

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

●Pbfreeterminalplating

●RoHScompliant

●HalogenfreeMarkingandpinassignment

Application

●Highsideswitchforfullbridgeconverter

●DC/DCconverterforLCDdisplay

100%UISTESTED!

100%∆VdsTESTED!

TO-251S-3Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE30P30LNCE30P30LTO-25IS---

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID-30A

DrainCu

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