NCE55P30深圳恒锐丰科技.pdf

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PbFreeProduct

NCE55P30

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE55P30usesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It

canbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeatures

●V=-55V,I=-30A

DSD

RDS(ON)40mΩ@VGS=-10V

Schematicdiagram

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

Application

●PowerswitchingapplicationMarkingandpinassignment

●Hardswitchedandhighfrequencycircuits

●Uninterruptiblepowersupply

100%UISTESTED!

TO-220-3Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE55P30NCE55P30TO-220-3L---

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-55V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-Continuous

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