NCE60P12AS深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE60P12AS

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE60P12ASusesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It

canbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeatures

●V=-60V,I=-12A

DSD

RDS(ON)14mΩ@VGS=-10VSchematicdiagram

RDS(ON)17mΩ@VGS=-4.5V

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

Application

●Powerswitchingapplication

●HardswitchedandhighfrequencycircuitsMarkingandpinassignment

●DC-DCConverter

SOP-8topview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE60P12ASNCE60P12ASSOP-8Ø330mm12mm4000units

AbsoluteMaximumRatings(TA=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-60V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID-12A

DrainCurrent-Continuous(T=100℃)I(100℃)-8.5A

该用户很懒，什么也没介绍

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