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NCE60P40F
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE60P40Fusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V=-60V,I=-40A
DSD
RDS(ON)35mΩ@VGS=-10VSchematicdiagram
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●Powerswitchingapplication
●Hardswitchedandhighfrequencycircuits
●Uninterruptiblepowersupply
Markingandpinassignment
100%UISTESTED!
TO-220Ftopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE60P40FNCE60P40FTO-220F---
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-60V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID-40A
DrainCurrent-Continu
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