NCE60P82AK深圳恒锐丰科技.pdf

下载文档

1
0
约2.05万字
约 7页
2024-10-13 发布于广东
举报
版权申诉
保障服务

NCE60P82AK深圳恒锐丰科技.pdf

1、本文档共7页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

NCE60P82AK

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE60P82AKusesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This

deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.

GeneralFeatures

●V-60V,I-82A

DSD

RDS(ON)13mΩ@VGS-10VSchematicdiagram

RDS(ON)16mΩ@VGS-4.5V

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

Application

●LoadswitchMarkingandpinassignment

100%UISTESTED!

100%ΔVdsTESTED!

TO-252-2Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE60P82AKNCE60P82AKTO-252-2L---

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-60V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID-82A

DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)-58A

您可能关注的文档

文档评论（0）

电源芯片+MOS管李生 + 关注: 实名认证

内容提供者

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

1亿VIP精品文档

更多 >

NCE60P82AK深圳恒锐丰科技.pdf