半导体物理_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年.pdfVIP

半导体物理_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库

2023年

1.固体材料按照几何形态可以分为单晶、多晶和非晶，其中（）材料原子排

列为短程有序。

答案:

多晶

2.GaAs化合物半导体的晶体结构为（）。

答案:

闪锌矿型结构

3.外层电子的共有化运动强，能带宽，有效质量（）

答案:

小

4.以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（）

答案:

SiC

5.重空穴指的是（）

答案:

价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴

6.根据费米分布函数，电子占据EF+2k0T能级的几率（）

答案:

等于空穴占据EF-2k0T能级的几率

7.导带有效状态密度Nc，是温度的函数，和温度为关系为，正比于（）

答案:

8.对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）；

答案:

经过一个极大值趋近Ei

9.室温下往Si,Ge和GaAs三种半导体材料中各掺入的As杂质，（）的EF

最靠近导带。

答案:

GaAs

10.寿命标志了非平衡载流子浓度减小到原值1/e经历的时间，寿命的大小表

征了复合的强弱，如果寿命小，意味着复合几率（）。

答案:

大

11.Au在Si半导体中是有效的复合中心，既能起施主作用，又能起受主作用。

但是在n型Si中，只有（）起作用

答案:

受主能级

12.硅中掺金工艺主要用于制造（）器件

答案:

高频

13.

将杂质能级积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。其中最有效的陷阱能级

的位置是杂质能级靠近（）

答案:

费米能级

14.P型半导体受到光照后，产生非平衡电子和空穴，引入电子准费米能级EFn

和空穴准费米能级EFp表征处于非平衡状态的电子浓度和空穴浓度。EFn

和EFp相比于热平衡状态的费米能级EF偏移程度满足EFn-EF()EF-EFp

答案:

15.有3个锗样品，其掺杂情况分别是：甲、含硼和磷各；乙、含砷；丙、含

磷。室温下，这些样品的多子浓度由高到低的顺序是（）

答案:

乙丙甲

16.在N型半导体中，随着温度的升高，本征载流子浓度ni()

答案:

增加

17.对应于电离杂质散射，温度越高，散射几率越（）

答案:

小

18.室温下，随着掺杂浓度的增加，迁移率（）

答案:

先几乎不变再变小

19.（）具有最大的电阻率。

答案:

p型半导体

20.相同的均匀电场，掺杂浓度越高，少数载流子扩散长度（）

答案:

越小

21.若某材料的电导率随温度上升先上升再下降，然后再上升，该材料是（）

答案:

掺杂半导体

22.空穴扩散电流的大小，与(成反比。)

答案:

空穴的迁移率

23.在相同温度下，载流子的迁移率增加，其扩散系数会相应（）。

答案:

增