《 高压静电场对大肠杆菌K12损伤机制的研究》范文.docxVIP

《高压静电场对大肠杆菌K12损伤机制的研究》篇一

一、引言

随着现代科技的发展，高压静电场在生物学、医学等领域的应用日益广泛。高压静电场是否会对微生物造成损伤，特别是对常见病原菌如大肠杆菌K12的损伤机制，成为了近年来研究的热点。本文旨在探讨高压静电场对大肠杆菌K12的损伤机制，为相关研究提供理论依据。

二、材料与方法

1.材料

本实验采用的大肠杆菌K12菌株购自ATCC（美国模式培养物集存库）。实验所使用的高压静电场设备为自制设备，可产生不同强度和时间的静电场。

2.方法

（1）菌液制备：将大肠杆菌K12接种于LB培养基，培养至对数生长期，制备成菌液。

（2）实验分组：将菌液分为若干组，