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大学口腔医学专业《大学物理（二）》期末考试试题C卷附解析

姓名：______班级：______学号：______

考试须知：

1、考试时间：120分钟，本卷满分为100分。

2、请首先按要求在试卷的指定位置填写您的姓名、班级、学号。

一、填空题（共10小题，每题2分，共20分）

1、沿半径为R的圆周运动，运动学方程为(SI)，则ｔ时刻质点的法向加速度大小为________；角加速度=________。

2、质量为M的物体A静止于水平面上，它与平面之间的滑动摩擦系数为μ，另一质量为的小球B以沿水平方向向右的速度与物体A发生完全非弹性碰撞．则碰后它们在水平方向滑过的距离L＝__________。

3、设在某一过程P中，系统由状态A变为状态B，如果________________________________________，则过程P为可逆过程；如果_________________________________________则过程P为不可逆过程。

4、一质点的加速度和位移的关系为且，则速度的最大值为_______________。

5、如图所示，一束自然光入射到折射率分别为n1和n2的两种介质的交界面上，发生反射和折射．已知反射光是完全偏振光，那么折射角r的值为_______________________。

6、一质点同时参与了两个同方向的简谐振动，它们的振动方程分别为（SI），（SI）.其合振运动的振动方程为x＝____________。

7、理想气体向真空作绝热膨胀。（）

A.膨胀后，温度不变，压强减小。

B.膨胀后，温度降低，压强减小。

C.膨胀后，温度升高，压强减小。

D.膨胀后，温度不变，压强不变。

8、从统计的意义来解释,不可逆过程实质上是一个________________的转变过程,一切实际过程都向着________________的方向进行。

9、气体分子的最可几速率的物理意义是__________________。

10、在主量子数n=2，自旋磁量子数的量子态中，能够填充的最大电子数是______________。

二、名词解释（共6小题，每题2分，共12分）

1、热力学第二定律：

2、电通量：

3、红限极限频率：

4、波的干涉：

5、霍耳效应：

6、电位梯度：

三、选择题（共10小题，每题2分，共20分）

1、用劈尖干涉法可检测工件表面缺陷，当波长为的单色平行光垂直入射时，若观察到的干涉条纹如图所示，每一条纹弯曲部分的顶点恰好与其左边条纹的直线部分的连线相切，则工件表面与条纹弯曲处对应的部分（）。

A.凸起，且高度为/4

B.凸起，且高度为/2

C.凹陷，且深度为/2

D.凹陷，且深度为/4

2、在静电场中，作一闭合曲面S，若有则S面内必定（）。

A．既无自由电荷，也无束缚电荷

B．没有自由电荷

C．自由电荷和束缚电荷的代数和为零

D．自由电荷的代数和为零

3、在某地发生两件事，静止位于该地的甲测得时间间隔为4s，若相对于甲作匀速直线运动的乙测得时间间隔为5s，则乙相对于甲的运动速度是（）(c表示真空中光速)。

A.(4/5)c

B.(3/5)c

C.(2/5)c

D.(1/5)c

4、一质点作简谐振动，周期为T．质点由平衡位置向x轴正方向运动时，由平衡位置到二分之一最大位移这段路程所需要的时间为（）。

A.T/4

B.T/6

C.T/8

D.T/12

5、下述说法中，正确的是（）。

A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好

B.n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电

C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能

D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动

6、物体A的质量是B的2倍且静止,物体B以一定的动能E与A碰撞后粘在一块并以共同的速度运动,碰撞后两物体的总动能为（）。

A.E

B.E/2

C.E/3

D.2E/3

7、关于静电场中的电位移线，下列说法中，哪一种是正确的？（）

A．起自正电荷,止于负电荷,不形成闭合线