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NCE14P40K
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE14P40Kusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This
deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.
GeneralFeatures
●VDS-40V,ID-30ASchematicdiagram
RDS(ON)11mΩ@VGS-10V(Typ)
RDS(ON)15mΩ@VGS-4.5V(Typ)
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●PowerswitchingapplicationMarkingandpinassignment
●Hardswitchedandhighfrequencycircuits
●Uninterruptiblepowersupply
100%UISTESTED!
100%ΔVdsTESTED!
TO-252-2Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE14P40KNCE14P40KTO-252-2L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-40V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID-30A
DrainCurrent-Continuous(T100℃)I
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