NCE14P40K深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE14P40K

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE14P40Kusesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This

deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.

GeneralFeatures

●VDS-40V,ID-30ASchematicdiagram

RDS(ON)11mΩ@VGS-10V(Typ)

RDS(ON)15mΩ@VGS-4.5V(Typ)

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

Application

●PowerswitchingapplicationMarkingandpinassignment

●Hardswitchedandhighfrequencycircuits

●Uninterruptiblepowersupply

100%UISTESTED!

100%ΔVdsTESTED!

TO-252-2Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE14P40KNCE14P40KTO-252-2L---

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-40V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID-30A

DrainCurrent-Continuous(T100℃)I

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