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NCE30NP1812K
NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE30NP1812Kusesadvancedtrenchtechnologyto
provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The
complementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshifted
highsideswitch,andforahostofotherapplications.
GeneralFeatures
●N-ChannelSchematicdiagram
V=30V,I=18A
DSD
RDS(ON)41mΩ@VGS=10V
RDS(ON)54mΩ@VGS=4.5V
●P-Channel
V=-30V,I=-12A
DSD
RDS(ON)58mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)85mΩ@VGS=-4.5V
Markingandpinassignment
●Highpowerandcurrenthandingcapability
●Leadfreeproductisacquired100%UISTESTED!
●Surfacemountpackage
100%∆VdsTESTED!
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE30NP1812KNCE30NP1812KTO-252-4L---
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
A
ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit
Drain-SourceVoltageVDS30-30V
Gate-SourceVoltageVGS±12±12V
T=25℃
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