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NCE30NP4030G
NCENP-ChannelcomplementaryPowerMOSFET
Description
TheNCE30NP4030Gusesadvancedtrenchtechnologyto
provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceis
suitableforuseininverterandotherapplications.
GeneraFeatures
N-channelP-channel
●V=30V,I=40A●V=-30V,I=-30ASchematicdiagram
DSDDSD
RDS(ON)9.5mΩ@VGS=10VRDS(ON)11mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)23mΩ@VGS=4.5VRDS(ON)20mΩ@VGS=-4.5V
●HighPowerandcurrenthandingcapability
●Leadfreeproductisacquired
●SurfacemountpackagePinassignment
Application
●H-bridge
●Inverters
DFN5X6-8LBottomView
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
30NP4030GNCE30NP4030GDFN5X6-8L---
AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)
ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit
Drain-SourceVoltageVDS30-30V
Gate-SourceVoltageVGS±20±20V
T=25℃40-30
C
ContinuousDrainCurrentID
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