NCE30P55K深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE30P55K

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE30P55Kusesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This

deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.

GeneralFeatures

●V-30V,I-55A

DSD

Schematicdiagram

RDS(ON)8.0mΩ@VGS-10V

RDS(ON)17mΩ@VGS-4.5V

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

●Pbfreeterminalplating

●RoHScompliant

●Halogenfree

Markingandpinassignment

Application

●Highsideswitchforfullbridgeconverter

●DC/DCconverterforLCDdisplay

100%UISTESTED!

100%ΔVdsTESTED!

TO-252-2Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE30P55KNCE30P55KTO-252-2L---

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID-55A

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