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NCE30P85K
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE30P85Kusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This
deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.
GeneralFeatures
●VDS-30V,ID-85ASchematicdiagram
RDS(ON)5.3mΩ@VGS-10V(Typ)
RDS(ON)7.6mΩ@VGS-4.5V(Typ)
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●PowerswitchingapplicationMarkingandpinassignment
●Hardswitchedandhighfrequencycircuits
●Uninterruptiblepowersupply
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100%ΔVdsTESTED!
TO-252-2Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE30P85KNCE30P85KTO-252-2L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-30V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID-85A
DrainCurrent-Continuous(T100℃)
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