NCE30P85K深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE30P85K

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE30P85Kusesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This

deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.

GeneralFeatures

●VDS-30V,ID-85ASchematicdiagram

RDS(ON)5.3mΩ@VGS-10V(Typ)

RDS(ON)7.6mΩ@VGS-4.5V(Typ)

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

Application

●PowerswitchingapplicationMarkingandpinassignment

●Hardswitchedandhighfrequencycircuits

●Uninterruptiblepowersupply

100%UISTESTED!

100%ΔVdsTESTED!

TO-252-2Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE30P85KNCE30P85KTO-252-2L---

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS-30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID-85A

DrainCurrent-Continuous(T100℃)

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