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WuxiCSMC-HJCo.,Ltd.

无锡华晶上华半导体有限公司

CVD工艺培训材料

CVD工艺培训教材

编者：熊炳辉

第一节CVD简介

第二节CVD膜在IC中的运用

第三节CVD工艺的种类

第四节CSMC-HJ的CVD工艺

第五节CVD介质膜的性质

第六节CVD的基本特征

第七节CVD工艺的发展

第八节CVD工艺中容易出现的问题

第九节其它注意事项

第十节安全

第十一节主要材料

第一节CVD简介

一、CVD（ChemicalVaporDeposition）工艺的应用：

（1）CVD工艺可生长介质膜、半导体膜、导体膜以及超导膜。

（2）在IC生产制造过程中，我们主要运用CVD工艺生长介质膜

（SiO2、SiN）、半导体膜（Poly，etc）、导体膜（W、Wsi，etc）。

二、CVD工艺的特点：

（1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点，减轻衬底的热形变，减

少玷污，抑制缺陷生成，减轻杂质再分布，适于浅结工艺。设备

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简单、重复性好。

（2）CVD膜的成分可精确控制，配比范围较大。

（3）淀积速率快，产能强。

（4）CVD膜结构致密、完整，与衬底黏附性好，台阶覆盖性能好。

三、选择CVD反应剂的准则：

（1）反应剂的纯度及蒸汽压必须足够高。

（2）反应副产物必须是高挥发性的。

（3）淀积物必须是稳定的化合物、固溶体或挥发性极低的物质。

（4）需考虑CVD反应的热力学、动力学、薄膜的结晶学等特性以及

生产的安全性。

第二节CVD膜在IC中的运用

一、介质膜在IC中的应用：

CVD介质膜主要用于PMD、IMD、Passivation等，搀杂的CVD介

质膜也可作为扩散用杂质源。CVD介质膜还被用作抗反射层，ARC

（Anti-ReflectCoat）等。

金属前介质层（PMD）：

（1）淀积温度不受金属限制，但有搀杂可动性的要求。

（2）通常PSG（phosphoro-silicateglass）、BPSG（boro-phospho-silicate

glass）被应用。

金属间介质层（IMD）：

（1）淀积温度受到金属限制。

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（2）可以进行硼、磷搀杂。

（3）要求低介电常数（K）。

（a）C=K*ε*A/t

（b）ε=8.85418E-12farads/meter

（c）介电常数对照表：

材料介电常数（k）

真空（Vacuum）1.00000

大气（Air）