NCE4614B深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE4614B

NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE4614Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide

excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary

MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside

switch,andforahostofotherapplications.

N-channelP-channel

GeneralFeaturesSchematicdiagram

●N-Channel

V40V,I8A

DSD

RDS(ON)22mΩ@VGS10V

RDS(ON)45.5mΩ@VGS4.5V

●P-Channel

VDS-40V,ID-7A

RDS(ON)32mΩ@VGS-10VMarkingandpinassignment

RDS(ON)51mΩ@VGS-4.5V

●Highpowerandcurrenthandingcapability

●Leadfreeproductisacquired

●Surfacemountpackage

SOP-8topview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE4614BNCE4614BSOP-8Ø330mm12mm4000units

AbsoluteMaximumRatings(T25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit

Drain-SourceVoltageVDS40-40V

Gate-SourceVoltageVGS±20±20V

T25℃8-7

ContinuousDrainCurr

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